Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)

Pada metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET), lapisan tipis SiO₂ ditambahkan antara kontak G dengan saluran. Transistor n-channel enhancement-mode seperti disimbolkan pada gambar dibawah menawarkan kinerja yang sangat baik.

Simbol Dan Karakteristik N-Channel MOSFET

Pada piranti ini tidak dibuat saluran; di sini saluran konduksi akibat adanya medan listrik antara G dan substrat tipe-n. Dengan tanpa adanya tegangan G, arus rendah mengalir melalui dua sambungan p-n. Dengan adanya sedikit tegangan G positif, lubang di dekat material p akan ditolak dan terbentuklah lapisan deplesi. Jika tegangan bertambah positif, elektron yang bergerak akan membentuk lapisan inversion pada permukaan material p dan menjadi tipe-n. Jika kerapatan lubanh diperkecil maka elektron yang bergerak akan meningkat. Saat tegangan G mencapai harga ambang v_T (sekitar 4 V pada gambar diatas), konduktivitas pada daerah tersebut telah dinaikkan (enhanced) dan transistor telah “dihidupkan” (turned on) dan arus siap mengalir dari D ke S.

Arus D tidak proporsional terhadap besarnya v_DS. Saat tegangan pada ujung D dari saluran menjadi lebih positif, secara efektif tegangan G terhadap saluran dan medan listrik yang terjadi akan menurun. Arus listrik pada lapisan inversi akan menurun.

Demikian halnya untuk piranti dengan saluran-p, dimana lubang sebagai muatan yang bergerak, juga banyak digunakan. Namun perlu diingat bahwa karena elektron lebih ringan atau mobilitas elektron lebih besar, maka diperlukan saluran yang lebih sempit pada tipe-n. Transistor saluran-n memberikan kecepatan yang lebih tinggi dan banyak digunakan untuk sistem digital dan penguat frekuensi respon tinggi.

Grafik Deplesi Chanel N MOSFET

Bentuk lain dari MOSFET adalah dengan menambahkan satu lapisan tipis konduksi dengan doping rendah pada daerah saluran antara kontak konduktifitas tinggi n⁺ . Pada saat = 0 v_GS , maka arus D yang cukup besar akan mengalir. Kita dapat membuat saluran konduksi berupa deplesi atau enhancement dengan memberikan tegangan yang cukup pada G. Pada piranti dengan saluran-n, pemberian tegangan G negatif akan membuat saluran menyempit; sebaliknya tegangan positif akan membuat saluran melebar. Kurva karakteristik gambar s=diatas mirip dengan JFET hanya terdapat satu tambahan kontrol tegangan positif atau negatif. Terlihat pada gambar diatas bahwa tegangan pinch-off terjadi pada harga sekitar -4 V. Transistor jenis MOSFET ini tersedia dengan saluran jenis n maupun p.

Artikel Terkait "Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)"

Karena ilmu itu adalah cahaya yang selalu menerangi setiap kehidupan kita. Diperbolehkan meng-copy tulisan di blog ini dengan tetap menjaga amanah ilmiyah & mencantumkan URL Link alamat blog ini. Dan mohon koreksi apabila terdapat kesalahan dalam penyampaian materi. Semoga artikel "Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)" memberikan manfaat. Terima kasih

Like Untuk Ikuti Perkembangan Materi Elektronika