Device photo semikonduktor memanfaatkan efek kuantum pada junction, energi yang diterima oleh elektron yang memungkinkan elektron pindah dari ban valensi ke ban konduksi pada kondisi bias mundur. Bahan semikonduktor seperti Germanium (Ge) dan Silikon (Si) mempunyai 4 buah electron valensi, masing-masing electron dalam atom saling terikat sehingga electron valensi genap menjadi 8 untuk setiap atom, itulah sebabnya kristal silicon memiliki konduktivitas listrik yang rendah, karena setiap electron terikan oleh atom atom yang berada disekelilingnya. Untuk membentuk semikonduktor tipe P pada bahan tersebut disisipkan pengotor dari unsure golongan III, sehingga bahan tersebut menjadi lebih bermuatan positif, karena terjadi kekosongan electron pada struktur kristalnya. Bila semikonduktor jenis N disinari cahaya, maka elektron yang tidak terikat pada struktur kristal akan mudah lepas. Kemudian bila dihubungkan semikonduktor jenis P dan jenis N dan kemudian disinari cahaya, maka akan terjadi beda tegangan diantara kedua bahan tersebut. Beda potensial pada bahan ilikon umumnya berkisar antara 0,6 volt sampai 0,8 volt.
Beberapa karakteristik dioda foto yang perlu diketahui antara lain:
- Arus bergantung linier pada intensitas cahaya
- Respons frekuensi bergantung pada bahan (Si 900nm, GaAs 1500nm, Ge 2000nm)
- Digunakan sebagai sumber arus
- Junction capacitance turun menurut tegangan bias mundurnya
- Junction capacitance menentukan respons frekuensi arus yang diperoleh
Rangkaian Aplikasi Standart Sensor Photo Semikonduktor
Rangkaian standart aplikasi sensor photo semikonduktor untuk pengubah arus ke tegangan dapat dilihat pada gambar diatas. Untuk mendapatkan perubahan arus ke tegangan yang dapat menggunakan konsep pembagi tegangan secara langsung maupun menggunakan penguat operasional untuk mengubah perubahan arus menjadi perubahan tegangan output.
Artikel Terkait "Photo Semikonduktor"
Buat Pesan Untuk Artikel "Photo Semikonduktor"