Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)

Sunday, September 13th 2015. | Komponen, Teori Elektronika

Pada metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET), lapisan tipis SiO2 ditambahkan antara kontak G dengan saluran. Transistor n-channel enhancement-mode seperti disimbolkan pada gambar dibawah menawarkan kinerja yang sangat baik.

Simbol Dan Karakteristik N-Channel MOSFET

Simbol Dan Karakteristik N-Channel MOSFET,simbol mosfet,karakteristik mosfet,teori mosfet,dasar teori mosfet,artikel mosfet,mosfet n chanel,pengertian mosfet,bahan kuliah mosfet n chanel,daerah deplesi mosfet,struktur mosfet,sistem kerja mosfet,prinsip kerja mosfet

Pada piranti ini tidak dibuat saluran; di sini saluran konduksi akibat adanya medan listrik antara G dan substrat tipe-n. Dengan tanpa adanya tegangan G, arus rendah mengalir melalui dua sambungan p-n. Dengan adanya sedikit tegangan G positif, lubang di dekat material p akan ditolak dan terbentuklah lapisan deplesi. Jika tegangan bertambah positif, elektron yang bergerak akan membentuk lapisan inversion pada permukaan material p dan menjadi tipe-n. Jika kerapatan lubanh diperkecil maka elektron yang bergerak akan meningkat. Saat tegangan G mencapai harga ambang vT (sekitar 4 V pada gambar diatas), konduktivitas pada daerah tersebut telah dinaikkan (enhanced) dan transistor telah “dihidupkan” (turned on) dan arus siap mengalir dari D ke S.

Arus D tidak proporsional terhadap besarnya vDS. Saat tegangan pada ujung D dari saluran menjadi lebih positif, secara efektif tegangan G terhadap saluran dan medan listrik yang terjadi akan menurun. Arus listrik pada lapisan inversi akan menurun.

Demikian halnya untuk piranti dengan saluran-p, dimana lubang sebagai muatan yang bergerak, juga banyak digunakan. Namun perlu diingat bahwa karena elektron lebih ringan atau mobilitas elektron lebih besar, maka diperlukan saluran yang lebih sempit pada tipe-n. Transistor saluran-n memberikan kecepatan yang lebih tinggi dan banyak digunakan untuk sistem digital dan penguat frekuensi respon tinggi.

Grafik Deplesi Chanel N MOSFET

Grafik Deplesi Chanel N MOSFET,grafik karakteristik mosfet,grafik garis beban mosfet,kurva karakteristik mosfet,kurva garis beban mosfet,grafik titik kerja mosfet

Bentuk lain dari MOSFET adalah dengan menambahkan satu lapisan tipis konduksi dengan doping rendah pada daerah saluran antara kontak konduktifitas tinggi n+ . Pada saat = 0 vGS , maka arus D yang cukup besar akan mengalir. Kita dapat membuat saluran konduksi berupa deplesi atau enhancement dengan memberikan tegangan yang cukup pada G. Pada piranti dengan saluran-n, pemberian tegangan G negatif akan membuat saluran menyempit; sebaliknya tegangan positif akan membuat saluran melebar. Kurva karakteristik gambar s=diatas mirip dengan JFET hanya terdapat satu tambahan kontrol tegangan positif atau negatif. Terlihat pada gambar diatas bahwa tegangan pinch-off terjadi pada harga sekitar -4 V. Transistor jenis MOSFET ini tersedia dengan saluran jenis n maupun p.

Berbagi Artikel "Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)":

Artikel Terkait "Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)"

Karena ilmu itu adalah cahaya yang selalu menerangi setiap kehidupan kita. Diperbolehkan meng-copy tulisan di blog ini dengan tetap menjaga amanah ilmiyah & mencantumkan URL Link alamat blog ini. Dan mohon koreksi apabila terdapat kesalahan dalam penyampaian materi. Semoga artikel "Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)" memberikan manfaat. Terima kasih

Like Untuk Ikuti Perkembangan Materi Elektronika

Buat Pesan Untuk Artikel "Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)"

Be nice, Keep it clean, Stay on topic and No spam.
5+9= (Plus)