Home » Komponen » Konsep Dasar Transistor

Konsep Dasar Transistor

Saturday, September 9th 2023. | Komponen, Teori Elektronika Mesothelioma Law Firm, Sell Annuity Payment

Transistor adalah komponen elektronika multitermal, biasanya memiliki 3 terminal. Secara harfiah, kata ‘Transistor’ berarti ‘ Transfer resistor’, yaitu suatu komponen yang nilai resistansi antara terminalnya dapat diatur. Secara umum transistor terbagi dalam 3 jenis :

  1. Transistor Bipolar
  2. Transistor Unipolar
  3. Transistor Unijunction

Transistor bipolar bekerja dengan 2 macam carrier, sedangkan unipolar satu macam saja, hole atau electron. Beberapa perbandingan transistor bipolar dan unipolar :

Bipolar

Unipolar
Dimensi

Daya

Bandwidth

Respon

Jenis Input

Impendansi Input

Besar

Besar

Lebar

Tinggi

Arus

Sedang

Kecil

Kecil

Sempit

Sedang

Tegangan

Tinggi

Pada transistor bipolar, arus yang mengalir berupa arus lubang (hole) dan arus electron atau berupa pembawa muatan mayoritas dan minoritas. Transistor dapat berfungsi sebagai penguat tegangan, penguat arus, penguat daya atau sebagai saklar. Ada 2 jenis transistor yaitu PNP dan NPN.

Transistor di desain dari pemanfaatan sifat diode, arus menghantar dari diode dapat dikontrol oleh electron yang ditambahkan pada pertemuan PN diode. Dengan penambahan elekdiode pengontrol ini, maka diode semi-konduktor dapat dianggap dua buah diode yang mempunyai electrode bersama pada pertemuan. Junction semacam ini disebut transistor bipolar dan dapat digambarkan sebagai berikut :

teori transistor,jenis transistor,transistor bipolar,transistor unipolar,transistor unijunction,tegangan bias transistor,karakteristik transistor,pengertian transistor,perbedaan transistor,junction transistor,kondisi transistor,titik kerja transistor,daerah aktif transistor,daerah cutoff transistor,daerah saturasi transistor,penguatan transistor,daerah kerja transistor,pemberian tegangan transistor,rumus penguatan transistor

Dengan memilih electrode pengontrol dari type P atau type N sebagai electrode persekutuan antara dua diode, maka dihasilkan transistor jenis PNP dan NPN. Transistor dapat bekerja apabila diberi tegangan, tujuan pemberian tegangan pada transistor adalah agar transistor tersebut dapat mencapai suatu kondisi menghantar atau menyumbat. Baik transistor NPN maupun PNP tegangan antara emitor dan basis adalah forward bias, sedangkan antara basis dengan kolektor adalah reverse bias.

teori transistor,jenis transistor,transistor bipolar,transistor unipolar,transistor unijunction,tegangan bias transistor,karakteristik transistor,pengertian transistor,perbedaan transistor,junction transistor,kondisi transistor,titik kerja transistor,daerah aktif transistor,daerah cutoff transistor,daerah saturasi transistor,penguatan transistor,daerah kerja transistor,pemberian tegangan transistor,rumus penguatan transistor

Dari cara pemberian tegangan muka didapatkan dua kondisi yaitu menghantar dan menyumbat seperti pada gambar transistor NPN dibawah ini.

teori transistor,jenis transistor,transistor bipolar,transistor unipolar,transistor unijunction,tegangan bias transistor,karakteristik transistor,pengertian transistor,perbedaan transistor,junction transistor,kondisi transistor,titik kerja transistor,daerah aktif transistor,daerah cutoff transistor,daerah saturasi transistor,penguatan transistor,daerah kerja transistor,pemberian tegangan transistor,rumus penguatan transistor

Pemberian tegangan pada transistor

Tegangan pada Vcc jauh lebih besar dari tegangan pada Veb. Diode basis-emitor mendapat forward bias, akibatnya electron mengalir dari emitor ke basis, aliran electron ini disebut arus emitor (IE). Elektron electron ini tidak mengalir dari kolektor ke basis, tetapi sebaliknya sebagian besar electron-elektron yang berada pada emitor tertarik ke kolektor, karena tegangan Vcc jauh lebih besar dari pada tegangan Veb dan mengakibatkan aliran electron dari emitor menuju kolektor melewati basis. Electron-elektron ini tidak semuanya tertarik ke kolektor tetapi sebagian kecil menjadi arus basis (IB).

Penguatan Transistor

αdc = IC / IE (perbandingan antara arus kolektor dengan arus emitter) Berdasarkan hukum kirchoff :

IE = IB + IC : IC
IE/IC = IB / IC + IC / IC
1/αdc = 1 / βdc + 1
1/αdc = 1/βdc + βdc/βdc
1/αdc = 1 + βdc / βdc
αdc = βdc / 1 + βdc

βdc= IC / IB (perbandingan antara arus kolektor dengan arus basis)

IE=IB+IC : IC
IE/IC=IB/IC+IC/IC
1/αdc = 1 / βdc + 1
1/βdc = 1 / αdc – 1
1/βdc = 1 / αdc – αdc / αdc
1/βdc = 1 – αdc / αdc
βdc = αdc  / 1 – αdc

Daerah kerja transistor

Daerah kerja transistor dapat dibagi dalam 3 bagian sebagai berikut :

  • daerah aktif

teori transistor,jenis transistor,transistor bipolar,transistor unipolar,transistor unijunction,tegangan bias transistor,karakteristik transistor,pengertian transistor,perbedaan transistor,junction transistor,kondisi transistor,titik kerja transistor,daerah aktif transistor,daerah cutoff transistor,daerah saturasi transistor,penguatan transistor,daerah kerja transistor,pemberian tegangan transistor,rumus penguatan transistor

suatu transistor berada didaerah aktif apabila diode basis emitter dibias forward dan diode basis kolektor berada dibias reverse.

  • daerah saturasi

teori transistor,jenis transistor,transistor bipolar,transistor unipolar,transistor unijunction,tegangan bias transistor,karakteristik transistor,pengertian transistor,perbedaan transistor,junction transistor,kondisi transistor,titik kerja transistor,daerah aktif transistor,daerah cutoff transistor,daerah saturasi transistor,penguatan transistor,daerah kerja transistor,pemberian tegangan transistor,rumus penguatan transistor

suatu transistor berada didaerah saturasi apabila diode basis emitter di bias forward dan diode basis kolektor berada dibias forward.

  • daerah cutoff

teori transistor,jenis transistor,transistor bipolar,transistor unipolar,transistor unijunction,tegangan bias transistor,karakteristik transistor,pengertian transistor,perbedaan transistor,junction transistor,kondisi transistor,titik kerja transistor,daerah aktif transistor,daerah cutoff transistor,daerah saturasi transistor,penguatan transistor,daerah kerja transistor,pemberian tegangan transistor,rumus penguatan transistor

suatu transistor berada pada kondisi cutoff apabila keduanya berada pada bias reverse.

Berbagi Artikel "Konsep Dasar Transistor":

Artikel Terkait "Konsep Dasar Transistor"

Karena ilmu itu adalah cahaya yang selalu menerangi setiap kehidupan kita. Diperbolehkan meng-copy tulisan di blog ini dengan tetap menjaga amanah ilmiyah & mencantumkan URL Link alamat blog ini. Dan mohon koreksi apabila terdapat kesalahan dalam penyampaian materi. Semoga artikel "Konsep Dasar Transistor" memberikan manfaat. Terima kasih

Like Untuk Ikuti Perkembangan Materi Elektronika

Buat Pesan Untuk Artikel "Konsep Dasar Transistor"

Be nice, Keep it clean, Stay on topic and No spam.
3+4= (Plus)